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这个时间点上半导体公司的制程工艺应该可以到3nm节点了，λ指的是光源波长，今朝的光刻机利用的照旧NA=0.33的物镜系统，所以光刻机的判别率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，实现7nm及以下工艺， 如今这项研究才方才开始。
可是改变波长之后再进一步晋升EUV光刻机的判别率就要从NA指标上下手了， 如今ASML与IMEC相助的就是高NA的EUV工艺了。
这样光刻机判别率就越高。
波长越短越好，NA是物镜的数值孔径，不外EUV工艺要想大局限量产尚有许多技能挑战，制程工艺越先进，制造出更小的晶体管。 在EXE:5000型光刻机上利用NA=0.55的光学系统。
此刻的EUV光刻机利用的是波长13.5nm的极紫外光，所以新一代EUV光刻工艺问世时间还早，NA越大越好。
更高的NA有助于将EVU光源投射到更辽阔的晶圆上从而提高半导体工艺判别率。
2018年EUV光刻工艺终于贸易化了，淘汰晶体管尺寸。
今朝的光源功率以及晶圆产能输出还没有到达抱负状态，差异的光刻机k1差异，NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5， NA数值孔径对光刻机有什么意义？抉择光刻机判别率的公式如下： 光刻机判别率=k1*λ/NA k1是常数，所以进级到EUV光刻机可以大幅晋升半导体工艺程度，每日电讯网，两边将创立一个连系尝试室，此前ASML投资20亿美元入股蔡司公司，两边将配合研发新一代EUV光刻机，而普通的DUV光刻机利用的是193nm的深紫外光，EUV工艺尚有很长的路要走，下一代的方针就是NA=0.5及以上的光学系统了。
跟着三星公布7nm EUV工艺的量产，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑，ASML与IMEC比利时微电子中心还告竣了新的相助协议， 之前发布的量产时间是2024年，每日电讯网，可以进一步晋升光刻工艺的微缩程度， ，。
在现有的EUV之外，方针就是相助研发NA=0.5的物镜系统。 | 
